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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JS28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/102頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
25
6
128
111
6F0000 - 6FFFFF
55
370000 - 37FFFF
.
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128
96
600000 - 60FFFF
48
300000 - 30FFFF
5
128
95
5F0000 - 5FFFFF
47
2F0000 - 2FFFFF
.
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128
80
500000 - 50FFFF
39
280000 - 28FFFF
4
128
79
4F0000 - 4FFFFF
38
270000 - 27FFFF
.
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128
64
400000 - 40FFFF
32
200000 - 20FFFF
3
128
63
3F0000 - 3FFFFF
31
1F0000 - 1FFFFF
.
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128
48
300000 - 30FFFF
24
180000 - 18FFFF
2
128
47
2F0000 - 2FFFFF
23
170000 - 17FFFF
.
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128
32
200000 - 20FFFF
16
100000 - 10FFFF
1
128
31
1F0000 - 1FFFFF
15
0F0000 - 0FFFFF
.
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128
16
100000 - 10FFFF
8
080000 - 08FFFF
0
128
15
0F0000 - 0FFFFF
7
070000 - 07FFFF
.
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.
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.
128
0
000000 - 00FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 7.
Discrete Top Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
15
128
258
FF0000 - FFFFFF
130
7F0000 - 7FFFFF
7
128
62
3F0000 - 3FFFFF
.
.
.
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128
243
F00000 - F0FFFF
123
780000 - 78FFFF
128
56
380000 - 38FFFF
14
128
242
EF0000 - EFFFFF
122
770000 - 77FFFF
6
128
55
370000 - 37FFFF
.
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.
.
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128
227
E00000 - E0FFFF
115
700000 - 70FFFF
128
48
300000 - 30FFFF
13
128
226
DF0000 - DFFFFF
114
6F0000 - 6FFFFF
5
128
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
211
D00000 - D0FFFF
107
680000 - 68FFFF
128
40
280000 - 28FFFF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F640P30BF65D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| JS28F640P30BF75A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 1.8V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640P30BF75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP |
| JS28F640P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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