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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JS28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 96/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | JS28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
96
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
C.4
Device Geometry Definition
Table 36.
Device Geometry Definition
Offset
27h
Length
1
Description
Code
See table below
“n” such that device size = 2
in number of bytes
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
27:
7
6
5
4
3
2
1
0
28h
2
—
15
—
—
14
—
—
13
—
—
12
—
x64
11
—
x32
10
—
x16
9
—
x8
8
—
28:
--01
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--06
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
64
2Ch
1
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
35h
4
Reserved for future erase block region information
See table below
See table below
See table below
See table below
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
Address
64-Mbit
–B
--17
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--3E
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--17
--01
--00
--06
--00
--02
--3E
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--18
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--7E
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--18
--01
--00
--06
--00
--02
--7E
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--19
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--FE
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--19
--01
--00
--06
--00
--02
--FE
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
128-Mbit
256-Mbit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| JS28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JS28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| JS28F640P30BF65D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays |
| JS28F640P30BF75A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 1.8V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640P30BF75D | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP |
| JS28F640P30T85 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
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