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K4T51163QC-ZCE7

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  • K4T51163QC-ZCE7
    K4T51163QC-ZCE7

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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  • 原裝正品，歡迎訂購

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  • SAMSUNG

  • 原廠原裝

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  • 原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)

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  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 制造商全稱
  • Samsung semiconductor
  • 功能描述
  • 512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCE7 技術(shù)參數(shù)
  • K4MTG 功能描述:KIT GRIPPER REPLACE FOR GS4MT 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態(tài):在售 類型:配件，備用夾鉗套件 特性:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:298-1107-ND 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 K4M-BLD 功能描述:KIT BLADE REPLACE FOR GS4MT 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態(tài):在售 類型:配件，刀片 特性:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:298-1107-ND 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 K4H-BLD 功能描述:KIT BLADE REPLACE FOR GS4H 制造商:panduit corp 系列:- 零件狀態(tài):在售 類型:配件，刀片 特性:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:298-1099-ND 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 K474Z20Y5VF5TH5 功能描述:0.47μF 50V 陶瓷電容器 Y5V（F） 徑向 0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm） 制造商:vishay bc components 系列:Mono-Kap? K 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:0.47μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V（F） 安裝類型:通孔 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.297"（7.54mm） 厚度（最大值）:- 引線間距:0.197"（5.00mm） 特性:- 引線形式:成型引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 K474Z20Y5VE5TL2 功能描述:0.47μF 25V 陶瓷電容器 Y5V（F） 徑向 0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm） 制造商:vishay bc components 系列:Mono-Kap? K 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:0.47μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:25V 溫度系數(shù):Y5V（F） 安裝類型:通孔 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.126" 寬（5.00mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.220"（5.58mm） 厚度（最大值）:- 引線間距:0.098"（2.50mm） 特性:- 引線形式:直形 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 K502515100J0G K50251520000G K502515200J0G K50351500000G K503515000J0G K50351510000G K503515100J0G K50351520000G K503515200J0G K50-3C0E12.0000M K50-3C0E12.0320M K50-3C0E14.31818 K50-3C0E14.3182M K50-3C0E16.0000M K50-3C0E19.8000M K50-3C0E20.0000M K50-3C0E22.1184M K50-3C0E24.0000M
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