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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4B1G0446C-ZCF7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 13/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0446C-ZCF7 |
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Page 13 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
Note 1 : Page size is the number of bytes of data delivered from the array to the internal sense amplifiers when an ACTIVE command is registered.
Page size is per bank, calculated as follows: page size = 2
COLBITS
* ORG
3 8
where, COLBITS = the number of column address bits, ORG = the number of I/O (DQ) bits
8Gb
Configuration
2Gb x4
1Gb x 8
512Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA
0
- BA
2
BA
0
- BA
2
BA
0
- BA
2
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
- A
15
A
0
- A
15
A
0
- A
15
Column Address
A
0
- A
9,
A
11,
A
13
A
0
- A
9,
A
11
A
0
- A
9
BC switch on the fly
A
12
/BC
A
12
/BC
A
12
/BC
Page size
2 KB
2 KB
2 KB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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