- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374254 > K4B1G0846C-ZCF7 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G0846C-ZCF7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 20/63頁 |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0846C-ZCF7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁
Page 20 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table 14 ] Single Ended AC and DC output levels
Note :
1. The swing of +/-0.1xVDDQ is based on approximately 50% of the static single ended output high or low swing with a driver impedance of 34ohms and
an effective test load of 25ohms to VTT=VDDQ/2.
Symbol
Parameter
DDR3-800/1066/1333/1600
Units
Notes
V
OH(DC)
DC output high measurement level (for IV curve linearity)
0.8 x VDDQ
V
V
OM(DC)
DC output mid measurement level (for IV curve linearity)
0.5 x VDDQ
V
V
OL(DC)
DC output low measurement level (for IV curve linearity)
0.2 x VDDQ
V
V
OH(AC)
AC output high measurement level (for output SR)
VTT + 0.1 x VDDQ
V
1
V
OL(AC)
AC output low measurement level (for output SR)
VTT - 0.1 x VDDQ
V
1
[ Table 15 ] Differential AC and DC output levels
Note :
1. The swing of +/-0.2xVDDQ is based on approximately 50% of the static singel ended output high or low swing with a driver impedance of 34ohms and
an effective test load of 25ohms to VTT=VDDQ/2 at each of the differential outputs
Symbol
Parameter
DDR3-800/1066/1333/1600
Units
Notes
V
OHdiff(AC)
AC differential output high measurement level (for output SR)
+0.2 x VDDQ
V
1
V
OLdiff(DC)
AC differential output low measurement level (for output SR)
-0.2 x VDDQ
V
1
9.2 Differential AC and DC Output Levels
9.0 AC and DC Output Measurement Levels
9.1 Single Ended AC and DC Output Levels
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G0846C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0846C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。