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參數資料
| 型號： | K4B1G0846C-ZCG9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數： | 10/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0846C-ZCG9 |
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Page 10 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
A
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AA
AB
11.00
±
0.10
0
2
0.80 x 10 = 8.00
8
112 -
0.45 Solder ball
0.2
A B
M
(Datum B)
(Datum A)
10
8
7
6
5
4
3
2
1
11
9
MOLDING AREA
#A1 INDEX MARK
BOTTOM VIEW
3.6 FBGA Package Dimension (x16)
1
±
0
0
±
1.10
±
0.10
#A1
11.00
±
0.10
1
±
0.35
±
0.05
TOP VIEW
0
0
4.00
0.80
1.60
B
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4B1G0846D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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