參數(shù)資料
型號(hào)： K4B1G0846C-ZCG9
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范
文件頁(yè)數(shù)： 13/63頁(yè)
文件大?。?/td> 1255K
代理商： K4B1G0846C-ZCG9
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Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
Note 1 : Page size is the number of bytes of data delivered from the array to the internal sense amplifiers when an ACTIVE command is registered.
Page size is per bank, calculated as follows: page size = 2
COLBITS
* ORG
3 8
where, COLBITS = the number of column address bits, ORG = the number of I/O (DQ) bits
8Gb
Configuration
2Gb x4
1Gb x 8
512Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA
0
- BA
2
BA
0
- BA
2
BA
0
- BA
2
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
- A
15
A
0
- A
15
A
0
- A
15
Column Address
A
0
- A
9,
A
11,
A
13
A
0
- A
9,
A
11
A
0
- A
9
BC switch on the fly
A
12
/BC
A
12
/BC
A
12
/BC
Page size
2 KB
2 KB
2 KB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4B1G1646C-CF8 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646C-ZCF7 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646C-ZCG9 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4C560838C-TCD3 256Mb Network-DRAM
K4C560838C-TCD4 Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4B1G0846D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0846D-HCF7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0846D-HCF8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0846D-HCH9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0846E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory
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