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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G0846C-ZCG9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 38/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0846C-ZCG9 |
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Page 38 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
CK
000
Start of Measurement Loop
BA[2:0]
ADDR_a[9:0]
CS
RAS
CAS
WE
CMD[2:0]
DQ[7:0]
DM
001
010
000
3FF
000
RD
D
D
RD
Figure 22
IDD4R Example (DDR3-800-666,1Gb x8): data DQ is shown but the output buffer should be switched off
(per MR1 Bit A12="1") to achieve Iout = 0mA. Address inputs are split into 3 parts.
D
D
D
RD
D
D
00
00
FF FF
00
00
FF FF
00
00
FF FF
00
00
T11
T12
T13
001
3FF
ADDR_b[10]
ADDR_c[13:11]
000
111
000
111
D
D
RD
D
[ Table 38 ] IDD7 Pattern for different Speed Grades and different tRRD, tFAW conditions
Note :
1. A0 = Activation of Bank 0; RA0 = Read with Auto-Precharge of Bank 0; D = Deselect
Speed
Bin
Org.
tFAW
tFAW
tRRD
tRRD
IDD7 Pattern
a
Mb/s
[ns]
[CLK]
[ns]
[CLK]
800
all
x4/x8
40
16
10
4
A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 DD A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6
RA6 D D A7 RA7D D
all
x16
50
20
10
4
A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 DD D D D D A4 RA4 D D A5 RA5
D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
1066
all
x4/x8
37.5
20
7.5
4
A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 DD D D D D A4 RA4 D D A5 RA5
D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
all
x16
50
27
10
6
A0 RA0 D D D D A1 RA1 D D D D A2 RA2 D DD D A3 RA3 D D D D D D D A4
RA4 D D D D A5RA5 D D D D A6 RA6 D D D D A7 RA7 D D D DD D D
1333
all
x4/x8
30
20
6
4
A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 DD D D D D A4 RA4 D D A5 RA5
D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
all
x16
45
30
7.5
5
A0 RA0 D D D A1 RA1 D D D A2 RA2 D D D A3RA3 D D D D D D D D D D D D D
A4 RA4 D D DA5 RA5 D D D A6 RA6 D D D A7 RA7 D D D DD D D D D D D D D
1600
all
x4/x8
30
24
6
5
A0 RA0 D D D A1 RA1 D D D A2 RA2 D D D A3RA3 D D D D D D D A4 RA4 D D
D A5 RA5 D DD A6 RA6 D D D A7 RA7 D D D D D D D
all
x16
40
32
7.5
6
A0 RA0 D D D D A1 RA1 D D D D A2 RA2 D DD D A3 RA3 D D D D D D D D D D
D D A4 RA4D D D D A5 RA5 D D D D A6 RA6 D D D D A7RA7 D D D D D D D D
D D D D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0846D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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