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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G0846C-ZCG9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 62/63頁 |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0846C-ZCG9 |
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Page 62 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
V
SS
Setup Slew Rate
Rising Signal
Setup Slew Rate
Falling Signal
Delta TF
Delta TR
tangent line[V
REF(dc)
- Vil(ac)max]
Delta TF
=
tangent line[Vih(ac)min - V
REF(dc)
]
Delta TR
=
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
tangent
line
tangent
line
V
REF
to ac
region
V
REF
to ac
nominal
line
nominal
line
Figure 29 - Illustration of tangent line for setup time tDS (for DQ with respect to strobe) and tIS
(for ADD/CMD with respect to clock)
CK
CK
tIS
tIH
tIS
tIH
tVAC
Note :Clock and Strobe are drawn on a different time scale.
tDS
tDH
tDS
tDH
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0846D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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