參數(shù)資料
型號： K4B1G1646C-CF8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范
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代理商： K4B1G1646C-CF8
Page 26 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
Table # provides and overview of the ODT DC electrical characteristics. They values for RTT
60pd120,
RTT
60pu120,
RTT
120pd240,
RTT
120pu240,
RTT
40pd80,
RTT
40pu80,
RTT
30pd60,
RTT
30pu60,
RTT
20pd40,
RTT
20pu40
are not specification requirements, but can be used as design guide lines:.
[ Table 25 ] ODT DC Electrical characteristics, assuming RZQ=240 ohm +/- 1% entire operating temperature range; after proper ZQ calibration
MR1 (A9,A6,A2)
RTT
RESISTOR
Vout
MIN
NOM
MAX
UNIT
NOTES
(0,1,0)
120 ohm
RTT
120pd240
0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
1,2,3,4
RTT
120pu240
0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
1,2,3,4
RTT
120
V
IL(
AC
)
TO
V
IH(
AC
)
0.9
1.0
1.6
R
ZQ
/2
1,2,5
(0,0,1)
60 ohm
RTT
60pd240
0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/2
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/2
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/2
1,2,3,4
RTT
60pu240
0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/2
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/2
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/2
1,2,3,4
RTT
60
V
IL(
AC
)
TO
V
IH(
AC
)
0.9
1.0
1.6
R
ZQ
/4
1,2,5
(0,1,1)
40 ohm
RTT
40pd240
0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/3
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/3
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/3
1,2,3,4
RTT
40pu240
0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/3
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/3
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/3
1,2,3,4
RTT
40
V
IL(
AC
)
TO
V
IH(
AC
)
0.9
1.0
1.6
R
ZQ
/6
1,2,5
(1,0,1)
30 ohm
RTT
60pd240
0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/4
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/4
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/4
1,2,3,4
RTT
60pu240
0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/4
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/4
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/4
1,2,3,4
RTT
60
V
IL(
AC
)
TO
V
IH(
AC
)
0.9
1.0
1.6
R
ZQ
/8
1,2,5
(1,0,0)
20 ohm
RTT
60pd240
0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/6
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/6
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/6
1,2,3,4
RTT
60pu240
0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
R
ZQ
/6
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
R
ZQ
/6
1,2,3,4
0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
R
ZQ
/6
1,2,3,4
RTT
60
V
IL(
AC
)
TO
V
IH(
AC
)
0.9
1.0
1.6
R
ZQ
/12
1,2,5
Deviation of VM w.r.t VDDQ/2,
VM
-5
5
%
1,2,5,6
9.8.1 ODT DC electrical characteristics
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