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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G1646C-CF8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 39/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-CF8 |
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Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table 39 ] IDD Measurement Conditions for IDD5B
Current
IDD5B
Name
Burst Refresh Current
Measurement Condition
CKE
HIGH
External Clock
on
t
CK
t
CKmin
(IDD)
t
RC
n.a.
t
RAS
n.a.
t
RCD
n.a.
t
RRD
n.a.
t
RFC
t
RFCmin
(IDD)
CL
n.a.
AL
n.a.
CS
HIGH btw. valid cmds
Addr. and cmd Inputs
SWITCHING
Data inputs
SWITCHING
Output Buffer DQ,DQS / MR1 bit A12
off / 1
Rtt_NOM, Rtt_WE
disabled
Burst length
n.a.
Active banks
Refresh command every t
RFC
=t
RFC
min
Idle banks
none
Precharge Power Down Mode
/ Mode Register Bit
n.a.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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