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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G1646C-CF8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 7/63頁 |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-CF8 |
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Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
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VSSQ
VSS
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DQU0
DML
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VDD
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K
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DQL6
DQSL
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DQL1
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DQL3
VSS
VSSQ
VSSQ
J
K
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NC
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VSS
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CK
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A8
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VSS
V
W
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RESET
NC
Y
AA
AB
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Note1: A1,A2,A4,A8,A10,A11,D1,D11,W1,W11,AB1,AB2,AB4,AB8,AB10 and AB11 balls indicate mechanical support balls with no internal connection
Populated ball
Ball not populated
Ball Locations (x16)
Top view
(See the balls through the Package)
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3.3 x16 Package Pinout (Top view) : 112ball FBGA Package
(96balls + 16 balls of support balls)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4C560838C-TCDA | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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