參數(shù)資料
型號(hào)： K4B1G1646C-ZCF7
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范
文件頁(yè)數(shù)： 34/63頁(yè)
文件大?。?/td> 1255K
代理商： K4B1G1646C-ZCF7
Page 34 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
CK
T17
T18
ACT
000
IDD1 Measurement Loop
BA[2:0]
ADDR_a[9:0]
ADDR_b[10]
ADDR_c[13:11]
CS
RAS
CAS
WE
CMD
DQ
DM
3FF
000
000
3FF
000
111
000
000
111
000
D
D
RD
D
D
D
D
D
D
D
D
D
PRE
D
D
D
D
D
0
0
1
1
0
0
1
1
Figure 20.
IDD1 Example (DDR3-800-666, 1Gb x8): Data DQ is shown but the output buffer should be switched off (per MR1 Bit A12 ="1") to
achieve Iout = 0mA. Address inputs are split into 3 parts.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4B1G1646C-ZCG9 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4C560838C-TCD3 256Mb Network-DRAM
K4C560838C-TCD4 Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk
K4C560838C-TCDA Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk
K4C561638C-TCD3 256Mb Network-DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4B1G1646C-ZCG9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646D-HCF7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646D-HCF8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G1646D-HCH9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*