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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4B1G1646C-ZCG9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-ZCG9 |
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Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
3.1 x4 Package Pinout (Top view) : 94ball FBGA Package
(78balls + 16 balls of support balls)
3.0 Package pinout/Mechanical Dimension & Addressing
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
C
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E
NC
VSS
VSS
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VSSQ
NC
DQ0
NC
DM
VSS
VSSQ
VDD
VDDQ
NC
D
E
F
VDDQ
DQ2
DQS
DQ1
DQ3
VSSQ
F
G
H
VSSQ
VREFDQ
NC
DQS
NC
VDD
NC
VSS
NC
VSSQ
VDDQ
G
H
VDDQ
J
K
NC
ODT
VSS
VDD
RAS
CAS
CK
CK
VSS
VDD
NC
CKE
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NC
VSS
CS
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WE
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A10/AP
A15
ZQ
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L
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A3
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A0
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A12/BC
A1
BA1
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N
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A7
A9
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A11
NC
A6
A8
VDD
VSS
R
T
NC
RESET
NC
U
V
W
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Note1: A1,A2,A4,A8,A10,A11,D1,D11,T1,T11,W1,W2,W4,W8,W10 and W11 balls indicate mechanical support balls with no internal connection
Populated ball
Ball not populated
Ball Locations (x4)
Top view
(See the balls through the Package)
1
2
3
4
8
9
5
6
7
A
B
C
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J
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
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| K4C561638C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4B1G1646D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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