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參數(shù)資料
| 型號： | K4C560838C-TCD3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mb Network-DRAM |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 880K |
| 代理商： | K4C560838C-TCD3 |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 7 -
Block Diagram
CK
CK
PD
DLL
CLOCK
BUFFER
COMMAND
DECODER
CS
FN
CONTROL
SIGNAL
GENERATOR
ADDRESS
BUFFER
MODE
REGISTER
UPPER ADDRESS
LATCH
LOWER ADDRESS
LATCH
COLUMN DECODER
R
BANK #3
BANK #2
BANK #1
BANK #0
MEMORY
CELL
ARRAY
D
C
C
BURST
COUNTER
READ
DATA
BUFFER
WRITE
DATA
BUFFER
DQ BUFFER
A0 to A14
BA0, BA1
REFRESH
COUNTER
WRITE ADDRESS
LATCH
ADDRESS
COMPARATOR
DQS
DQ0 to DQn
To Each Block
Note :
The K4C560838C-TC configuration is 4 Bank of 32768X256X 8 of cell array with the DQ pins numbered DQ0-7
The K4C561638C-TC configuration is 4 BanK of 32768X128X16 of cell array with the DQ pins numbered DQ0-15.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| K4C560838C-TCDA | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
| K4C561638C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4C561638C-TCD4000 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C560838C-TCD4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCDA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD4 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD4000 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
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