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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4C560838C-TCDA |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/42頁(yè) |
| 文件大小： | 880K |
| 代理商： | K4C560838C-TCDA |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 16 -
Q0
Q1
Q2
Q3
LAL
(after RDA)
t
IPW
t
IS
t
IH
t
CH
t
CL
t
CK
t
QSLZ
t
QSPRE
t
CKQS
t
CKQS
t
QSP
t
QSP
t
CKQS
t
QSHZ
Postamble
Preamble
t
QSLZ
t
QSPRE
t
CKQS
t
QSP
t
QSP
t
QSHZ
t
CKQS
t
CKQS
t
QSQ
t
LZ
t
QSQV
t
AC
t
AC
t
AC
t
QSQV
t
QSQ
t
HZ
t
OH
Q0
Q1
Q2
Q3
t
LZ
t
AC
t
AC
t
AC
t
QSQV
t
QSQ
t
HZ
t
OH
t
QSQ
t
QSQ
t
QSQ
t
QSQV
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
CK
CK
Input
(Control &
Addresses)
CAS latency = 3
DQS
(Output)
DQ
(Output)
DQS
(Output)
DQ
(Output)
CAS latency = 4
Note :
The correspondence of LDQS, UDQS to DQ. (K4C561638C-TC)
LDQS
DQ0 to 7
UDQS
DQ8 to 15
Postamble
Preamble
Read Timing (Burst Length = 4)
High-Z
High-Z
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