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參數(shù)資料
| 型號： | K4C560838C-TCDA |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 3/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 880K |
| 代理商： | K4C560838C-TCDA |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 3 -
General Information
Organization
D4 (400Mbps)
DA (366Mbps )
D3 (333Mbps )
256Mx8
K4C560838C-TCD4
K4C560838C-TCDA
K4C560838C-TCD3
256Mx16
K4C561638C-TCD4
K4C561638C-TCDA
K4C561638C-TCD3
T
:
TSOP II (400mil x 875mil)
D4
:
400bps/pin (200MHz, CL=4)
DA
:
366bps /pin (183MHz, CL=4)
D3
:
333bps/pin (167MHz, CL=4)
C :
(Commercial, Normal)
08
:
x8
16
:
x16
56
:
256M 8K/64ms
5. Organization
C
:
Network-DRAM
C
:
4th Generation
K 4 C XX XX X X X - X X
Memory
DRAM
Small Classification
Density and Refresh
Temperature & Power
Package
Organization
Version
Interface (VDD & VDDQ)
1. SAMSUNG Memory :
K
2. DRAM :
4
3. Small Classification
4. Density & Refresh
8. Version
9. Package
10. Temperature & Power
11. Speed
3
:
4 Bank
6. Bank
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
XX
8
:
SSTL-2(2.5V, 2.5V)
7. Interface (VDD & VDDQ)
Speed
Bank
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PDF描述 |
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