參數(shù)資料
型號(hào)： K4C561638C-TCD3
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mb Network-DRAM
中文描述： 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 1/42頁(yè)
文件大小： 880K
代理商： K4C561638C-TCD3
K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 1 -
256Mb Network-DRAM Specification
Version 0.7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4C561638C-TCD4 Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk
K4C561638C-TCD4000 Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk
K4C561638C-TCDA 256Mb Network-DRAM
K4C89323AF-GCF5 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
K4C89323AF-GCF6 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
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參數(shù)描述
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K4C561638C-TCDA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM
K4C89083AF-ACF5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89083AF-ACF6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
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