參數(shù)資料
型號(hào)： K4C561638C-TCD3
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mb Network-DRAM
中文描述： 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 14/42頁(yè)
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代理商： K4C561638C-TCD3
K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 14 -
Power Up Sequence
1. As for PD, being maintained by the low state (<0.2V) is desirable before a power-supply injection.
2. Apply Vdd before or at the same time as VddQ.
3. Apply VddQ before or at the same time as V
REF
.
4. Start clock (CK, CK) and maintain stable condition for 200us (min.).
5. After stable power and clock, apply DESL and take PD = H.
6. Issue EMRS to enable DLL and to define driver strength. (Note : 1)
7. Issue MRS for set CAS Latency (CL), Burst Type (BT), and Burst Length (BL). (Note : 1)
8. Issue two or more Auto-Refresh commands. (Note:1)
9. Ready for normal operation after 200 clocks from Extended Mode Register programming. (Note : 2)
Note :
1. Sequence 6, 7 and 8 can be issued in random order.
2. L=Logic Low, H = Logic High
DESL
RDA MRS
DESL
RDA MRS
～
～
～
DESL
～
～
～
WRA REF
WRA REF
DESL
DESL
EMRS
MRS
op-code
op-code
Hi-Z
V
DD
V
DDQ
V
REF
CLK
CLK
PD
Command
Address
DQ
DQS
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
200
μ
s(min)
t
PDA
l
RSC
l
RSC
l
REFC
2.5V(TYP)
2.5V(TYP)
1.25V(TYP)
l
REFC
t
PDEX
200 clock cycle(min)
EMRS
MRS
Auto Refresh cycle
Nomal Operation
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PDF描述
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