參數(shù)資料
型號： K4C561638C-TCD4000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存
文件頁數(shù)： 18/42頁
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代理商： K4C561638C-TCD4000
K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
- 18 -
REV. 0.7 Aug. 2003
D0
D1
D2
D3
Postamble
Preamble
t
DSSK
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
D0
D1
D2
D3
Postamble
Preamble
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
DH
D0
D1
D2
D3
WRA
CK
CK
Input
(Control &
Addresses)
LDQS
DQ0 ~ 7
Postamble
Preamble
Write Timing (x16 device) (Burst Length = 4)
CAS latency = 3
LAL
t
DSSK
t
DSSK
t
DSSK
t
DSSK
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
D0
D1
D2
D3
Postamble
Preamble
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
UDQS
DQ8 ~ 15
LDQS
DQ0 ~ 7
CAS latency = 4
UDQS
DQ8 ~ 15
t
DSSK
t
DSSK
t
DSSK
t
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4C561638C-TCDA 256Mb Network-DRAM
K4C89323AF-GCF5 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
K4C89323AF-GCF6 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
K4C89323AF-GCFB 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
K4C89323AF-TCF5 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM
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參數(shù)描述
K4C561638C-TCDA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM
K4C89083AF-ACF5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89083AF-ACF6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89083AF-ACFB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
K4C89083AF-AIF5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
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