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參數(shù)資料
| 型號： | K4C561638C-TCD4000 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 880K |
| 代理商： | K4C561638C-TCD4000 |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
REV. 0.7 Aug. 2003
- 33 -
WRA
LAL
DESL
DESL
or
WRA
D0
D1
D2
D3
D1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
～
～
n-1
n
n+1
n+2
CLK
CLK
Command
PD
BL=4
DQS
(Input)
DQ
(Input)
BL=2
DQS
(Input)
DQ
(Input)
x
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
I
RDA
= 1 cycle
WL=3
2 clock cycles
I
RC
(min), t
REFI
(max)
t
IH
t
IS
I
PD
= 1 cycle
D0
Power Down Entry
Power Down Exit
t
PDEX
Power Down Timing (CL=4)
Write cycle to Power Down Mode
Note :
"x" is don’t care.
PD must be kept "High" level until WL+2 clock cycles from LAL command.
PD should be brought to high within t
REFI(max)
to maintain the data written into cell.
～
～
～
～
～
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCDA | 256Mb Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCFB | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCDA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C89083AF-ACF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-ACFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| K4C89083AF-AIF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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