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參數(shù)資料
| 型號： | K4C561638C-TCD4 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/42頁 |
| 文件大小： | 880K |
| 代理商： | K4C561638C-TCD4 |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
- 26 -
REV. 0.7 Aug. 2003
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
D0 D1
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
I
RC
= 5 cycles
I
RC
= 5 cycles
CK
CK
Command
DQS
(Input)
BL = 2
DQ
(input)
Single Bank Write Timing (CL = 3)
D0 D1
D0 D1
D0 D1
D2 D3
D2 D3
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RCD
= 1 cycle
WL = 2
WL = 2
DQS
(Input)
BL = 4
DQ
(input)
t
DQSS
t
DQSS
t
DQSS
WL = 2
WL = 2
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
D0 D1
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
I
RC
= 5 cycles
I
RC
= 5 cycles
CK
CK
Command
DQS
(Input)
BL = 2
DQ
(input)
Single Bank Write Timing (CL = 4)
D0 D1
D0 D1
D0 D1
D2 D3
D2 D3
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RCD
= 1 cycle
WL = 3
WL = 3
DQS
(Input)
BL = 4
DQ
(input)
t
DQSS
t
DQSS
WL = 3
WL = 3
Note :
means "H" or "L"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCD4000 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
| K4C561638C-TCDA | 256Mb Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4C561638C-TCD4000 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCDA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb Network-DRAM |
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| K4C89083AF-ACFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
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