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參數資料
| 型號： | K4C89323AF-GCF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| 中文描述： | 2097152 - 4字×銀行× 36位的雙數據速率網絡內存 |
| 文件頁數： | 30/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1340K |
| 代理商： | K4C89323AF-GCF5 |
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K4C89363AF
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15
REV. 0.0 Sep. 2002
Single Bank Read-Write Timing (CL=5)
Unidirectional DS/QS mode
BL =2
LDS/UDS
Bank Add.
Unidirectional DS/Free Running QS mode
BL =2
LDS/UDS
Q0
Q1
CL=5
Q0
Q1
Q2
Q3
Low
D0
D1
WL=4
Low
D0
D1
D2
D3
Hi-Z
Hi-Z
Command
Address
RDA
DESL
LAL
LA
UA
l
R C
=6cycles
WRA
DESL
LAL
l
R C
=6cycles
RDA
DESL
LAL
LA
UA
LA
U A
#0
#0
#0
CL=5
WL=4
Q0
Q1
CL=5
Q0
Q1
Q2
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D0
D1
WL=4
D0
D1
D2
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Hi-Z
Hi-Z
CL=5
WL=4
Read data
Write data
CLK
CLK
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
BL =4
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
LDS/UDS
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
BL =4
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
LDS/UDS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89323AF-GCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCFB | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCFB | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4C89323AF-GCF6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-GCFB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| K4C89323AF-TCF5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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