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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89323AF-TCF6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| 中文描述： | 2097152 - 4字×銀行× 36位的雙數(shù)據(jù)速率網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1340K |
| 代理商： | K4C89323AF-TCF6 |
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K4C89363AF
REV. 0.0 Nov. 2002
- 14 -
Q0
LAL
(after RDA)
t
IS
t
IH
t
C H
t
C L
t
C K
t
CKQS
t
CKQS
t
QSP
t
Q S P
t
C K Q S
t
QSQ
t
LZ
t
QSQV
t
A C
t
Q S Q V
t
QSQ
t
HZ
t
Q S Q
Low
High-Z
C K
C K
Input
(Control &
Addresses)
C A S latency = 4
L Q S / U Q S
(Output)
D Q
(Output)
Read Timing (Burst Length = 4)
Unidirectional DS/QS mode
Low
DESL
L D S / U D S
(Input)
Q1
Q2
Q3
t
A C
t
A C
t
O H
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
Q0
t
CKQS
t
C K Q S
t
QSP
t
Q S P
t
C K Q S
t
QSQ
t
L Z
t
Q S Q V
t
A C
t
Q S Q V
t
QSQ
t
H Z
t
Q S Q
Low
High-Z
C A S latency = 5
L Q S / U Q S
(Output)
D Q
(Output)
Low
Q1
Q2
Q3
t
A C
t
A C
t
O H
Q0
t
C K Q S
t
C K Q S
t
Q S P
t
QSP
t
C K Q S
t
Q S Q
t
L Z
t
Q S Q V
t
AC
t
Q S Q V
t
Q S Q
t
H Z
t
QSQ
Low
High-Z
C A S latency = 6
L Q S / U Q S
(Output)
D Q
(Output)
Low
Q1
Q2
Q3
t
A C
t
AC
t
O H
Note : DQ0 to DQ17 are aligned with LQS.
DQ18 to DQ35 are aligned with UQS.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89323AF-TCFB | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4C89363AF-GCF5 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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參數(shù)描述 |
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