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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4D553238F-JC40 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | K4D553238F-JC40 |
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256M GDDR SDRAM
K4D553238F-JC
- 16 -
Rev 1.0 (Mar. 2004)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
BAa
Ra
Ra
Ra
tRCD
ACTIVEA
ACTIVEB WRITEA
WRITEB
13
14
15
16
17
18
19
20
21
BAa
BAb
Ca
Cb
BAa
Ca
9
10
11
12
PRECH
BAa
22
Normal Write Burst
(@ BL=4)
Multi Bank Interleaving Write Burst
(@ BL=4)
BAa
Ra
Ra
BAb
Rb
Rb
tRAS
tRC
tRP
tRRD
COMMAND
DQS
DQ
WE
DM
CK, CK
A8/AP
(ADDR
BA[1:0]
ACTIVEA
WRITEA
Da0 Da1 Da2 Da3
Simplified Timing(2) @ BL=4
Db0 Db1
Db3
Da0 Da1 Da2 Da3
Db2
K4D553238F-JC50
Frequency
200MHz ( 5.0ns )
Cas Latency
3
tRC
12
tRFC
14
tRAS
8
tRCDRD
4
tRCDWR
2
tRP
4
tRRD
3
tDAL
7
Unit
tCK
K4D553238F-JC36
Frequency
275MHz ( 3.6ns )
250MHz ( 4.0ns )
200MHz ( 5.0ns )
Cas Latency
4
3
3
tRC
16
13
12
tRFC
17
15
14
tRAS
11
9
8
tRCDRD
4
4
4
tRCDWR
2
2
2
tRP
5
4
4
tRRD
3
3
3
tDAL
9
7
7
Unit
tCK
tCK
tCK
K4D553238F-JC40
Frequency
250MHz ( 4.0ns )
200MHz ( 5.0ns )
Cas Latency
3
3
tRC
13
12
tRFC
15
14
tRAS
9
8
tRCDRD
4
4
tRCDWR
2
2
tRP
4
4
tRRD
3
3
tDAL
7
7
Unit
tCK
tCK
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