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參數(shù)資料
| 型號： | K4E151611 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 100萬× 16的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 30/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 553K |
| 代理商： | K4E151611 |
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K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
HYPER PAGE READ AND WRITE MIXED CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
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IH
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WRITE
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AA
)
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RAD
t
RHCP
t
RAL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E151611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E151612D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E171611D | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E160411D | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4E151611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E151612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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