參數(shù)資料
型號(hào)： K4E151611
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 100萬(wàn)× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 35/35頁(yè)
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代理商： K4E151611
K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
CMOS DRAM
42 SOJ
400mil
0
0
0
1.080 (27.43)
1.070 (27.19)
MAX
1.091 (27.71)
M
0
0.032 (0.81)
0.026 (0.66)
0.021 (0.53)
0.015 (0.38)
0.027 (0.69)
MIN
0.012 (0.30)
0.006 (0.15)
0
0
#42
#1
0.0375 (0.95)
0.050 (1.27)
Units : Inches (millimeters)
50(44) TSOP(II) 400mil
Units : Inches (millimeters)
MAX
0.047 (1.20)
MIN
0.002 (0.05)
0.018 (0.45)
0.010 (0.25)
0.0315 (0.80)
0.034 (0.875)
0.821 (20.85)
0.829 (21.05)
0.841 (21.35)
MAX
0.010 (0.25)
0.004 (0.10)
0
0
0
0~8
0.030 (0.75)
0.018 (0.45)
TYP
0.010 (0.25)
O
PACKAGE DIMENSION
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PDF描述
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K4E160411D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
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