參數(shù)資料
型號(hào)： K4E170412D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 4位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 11/21頁(yè)
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代理商： K4E170412D
K4E170411D, K4E160411D
K4E170412D, K4E160412D
CMOS DRAM
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
t
WP
Don
′
t care
Undefined
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RWL
t
CWL
t
DH
t
OEH
t
OED
DATA-IN
t
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E160811D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E160812D Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 35V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk
K4E170811D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170812D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641611D-TC50 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E170811D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170812D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171611D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E-1KOHM 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
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