參數(shù)資料
型號(hào)： K4H1G0438D-TCB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 16V; Case Size: 10x16 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 128MB DDR SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 1/53頁(yè)
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代理商： K4H1G0438D-TCB0
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
DDR SDRAM Specification
Version 1.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H1G0438D-TLA0 Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 25V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
K4H1G0438D-TLA2 128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438D-TLB0 128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438E-TCA0 128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438E-TCA2 Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 10x12.5 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H1G0438D-TLA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438D-TLA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438D-TLB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438E-TCA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438E-TCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
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