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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4M511533E-L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Mobile-SDRAM |
| 中文描述： | 移動(dòng)SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/12頁(yè) |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | K4M511533E-L |
K4M511533E - Y(P)C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
0
0
0
1
2
3
0
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0
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0
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1
3
0
1
2
3
2
1
0
2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
A2
A1
A0
0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M511533E-Y | Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YC | Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YP | Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YPC | Mobile-SDRAM |
| K4M511633E | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4M511533E-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YP | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4M511533E-YPC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4M511633C-RBF1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
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