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參數(shù)資料
| 型號： | K4M56323LE-ES1H |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| 中文描述： | 2米x 32Bit的× 4銀行在90FBGA移動SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | K4M56323LE-ES1H |
K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
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0
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3
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2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M56323LE-ES1L | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ES80 | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MS1L | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MS80 | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4N51163QC-ZC | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4M56323LE-ES1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ES80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MC1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MC1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
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