- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374276 > K4M56323LE-ME1L (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4M56323LE-ME1L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| 中文描述： | 2米x 32Bit的× 4銀行在90FBGA移動(dòng)SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | K4M56323LE-ME1L |
K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
0
0
0
1
2
3
0
1
2
3
0
1
1
2
3
0
1
0
3
2
1
0
2
3
0
1
2
3
0
1
1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
A2
A1
A0
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
3
2
5
4
7
6
0
1
0
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
0
1
6
7
4
5
0
1
1
3
4
5
6
7
0
1
2
3
2
1
0
7
6
5
4
1
0
0
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
1
0
1
5
6
7
0
1
2
3
4
5
4
7
6
1
0
3
2
1
1
0
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
4
5
2
3
0
1
1
1
1
7
0
1
2
3
4
5
6
7
6
5
4
3
2
1
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M56323LE-ML1H | Surface Mount Resistors Thick Film Chip Resistors |
| K4M56323LE-ML1L | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ML80 | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MN1H | 2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MN1L | RES 180K 5% 0603 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4M56323LE-ME80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ML1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ML1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-ML80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4M56323LE-MN1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。