參數(shù)資料
型號： K4N51163QC-ZC25
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 32/64頁
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC25
- 32 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
ODT timing mode switch at exiting power down mode
T0
T1
T4
T5
T6
T7
CK
CK
T8
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFPDmax
RTT
tIS
tIS
RTT
T9
T10
T11
ODT
Internal
Term Res.
tAXPD
Active & Standby mode
timings to be applied.
Power Down mode tim-
ings to be applied.
tAOFD
Internal
Term Res.
tIS
RTT
ODT
Active & Standby mode
timings to be applied.
tAOND
Internal
Term Res.
RTT
ODT
tAONPDmax
tIS
Power Down mode tim-
ings to be applied.
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
V
IH
(AC)
Exiting from Slow Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC2A 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N51163QC-ZC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*