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參數(shù)資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC25 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 49/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC25 |
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- 49 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Example 3: Burst Read with Auto Precharge Followed by an activation to the Same Bank
(tRC Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRas(min)
Example 4: Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(tRP Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRas(min)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC2A | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
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