參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC25
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 62/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC25
- 62 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Table 1.
Full Strength Default Pulldown Driver Characteristics
Pulldown Current (mA)
Voltage (V)
Minimum
(23.4 Ohms)
Nominal Default Low (18
ohms)
Nominal Default High(18
ohms)
Maximum
(12.6 Ohms)
0.2
8.5
11.3
11.8
15.9
0.3
12.1
16.5
16.8
23.8
0.4
14.7
21.2
22.1
31.8
0.5
16.4
25.0
27.6
39.7
0.6
17.8
28.3
32.4
47.7
0.7
18.6
30.9
36.9
55.0
0.8
19.0
33.0
40.9
62.3
0.9
19.3
34.5
44.6
69.4
1.0
19.7
35.5
47.7
75.3
1.1
19.9
36.1
50.1
80.5
1.2
20.0
36.6
52.2
84.6
1.3
20.1
36.9
54.2
87.7
1.4
20.2
37.1
55.9
90.8
1.5
20.3
37.4
57.1
92.9
1.6
20.4
37.6
58.4
94.9
1.7
20.6
37.7
59.6
97.0
1.8
37.9
60.9
99.1
1.9
101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
VOUT to VSSQ (V)
0
20
40
60
80
100
120
P
Maximum
Nominal
Default
High
Nominal
Default
Low
Minimum
Figure 1.
gDDR2 Default Pulldown Characteristics for Full Strength Driver
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC2A 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N51163QC-ZC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
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