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參數(shù)資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC2A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 44/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC2A |
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- 44 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Example 2: Burst Read Operation Followed by Precharge:
RL = 4, AL = 1, CL = 3, BL = 8, t
RTP
<= 2 clocks
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
RL =4
DQS
Precharge A
NOP
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
AL + BL/2 clks
AL = 1
CL = 3
> = t
RTP
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
8
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
NOP
Example 3: Burst Read Operation Followed by Precharge :
RL = 5, AL = 2, CL = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks
DQ’s
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
AL = 2
CL =3
RL =5
DQS
> = t
RP
CL =3
> = t
RAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
AL + BL/2 clks
> = t
RTP
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharge A
READ A
Posted CAS
Activate
Bank A
NOP
NOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-Nb(M)CcK8 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N51163QZ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N56163QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
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