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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N51163QC-ZC2A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 63/64頁 |
| 文件大小： | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC2A |
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- 63 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Table 2.
Full Strength Default Pullup Driver Characteristics
Pulldown Current (mA)
Voltage (V)
Minimum
(23.4 Ohms)
Nominal Default Low (18
ohms)
Nominal Default High(18
ohms)
Maximum
(12.6 Ohms)
0.2
-8.5
-11.1
-11.8
-15.9
0.3
-12.1
-16.0
-17.0
-23.8
0.4
-14.7
-20.3
-22.2
-31.8
0.5
-16.4
-24.0
-27.5
-39.7
0.6
-17.8
-27.2
-32.4
-47.7
0.7
-18.6
-29.8
-36.9
-55.0
0.8
-19.0
-31.9
-40.8
-62.3
0.9
-19.3
-33.4
-44.5
-69.4
1.0
-19.7
-34.6
-47.7
-75.3
1.1
-19.9
-35.5
-50.4
-80.5
1.2
-20.0
-36.2
-52.5
-84.6
1.3
-20.1
-36.8
-54.2
-87.7
1.4
-20.2
-37.2
-55.9
-90.8
1.5
-20.3
-37.7
-57.1
-92.9
1.6
-20.4
-38.0
-58.4
-94.9
1.7
-20.6
-38.4
-59.6
-97.0
1.8
-38.6
-60.8
-99.1
1.9
-101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
VDDQ to VOUT (V)
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
P
Minimum
Nominal
Default
Low
Nominal
Default
High
Maximum
Figure 2.
gDDR2 Default Pullup Characteristics for Full Strength Output Driver
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-Nb(M)CcK8 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N51163QZ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N56163QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
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