參數(shù)資料
型號： K4N51163QC-ZC33
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 10/64頁
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC33
- 10 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Parameter
Symbol
- 36
-33
- 2A
- 25
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
1.75
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
4.0
2.5
4.0
2.5
3.5
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
x
0.5
x
0.5
pF
9.0 Electrical Characteristics & AC Timing for - 25/2A/33/36
(0
°
C < T
CASE
< 95
°
C; V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
SPEED
-25
- 2A
-33
- 36
Units
Bin (CL-tRCD-tRP)
5-5-5
5-5-5
5-5-5
4-4-4
Parameter
min
min
min
min
CAS LATENCY
5
5
5
4
tCK
tCK
2.5
2.86
3.3
3.6
ns
tRCD
5
5
5
4
tCK
tRP
5
5
5
4
tCK
tRC
21
18
18
15
tCK
tRAS
16
13
13
11
tCK
9.1 Refresh Parameters
Parameter
Symbol
512Mb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
105
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
μ
s
3.9
μ
s
9.2 Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS
8.9 Input/Output capacitance
相關PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-Nb(M)CcK8 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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參數(shù)描述
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K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N56163QF 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
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