參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC33
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 15/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC33
- 15 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
18. tIS and tIH (input setup and hold) derating
1) Input waveform timing is referenced from the input signal crossing at the V
IH
(AC) level for a rising signal and V
IL
(AC) for a falling signal applied to
the device under test.
2) Input waveform timing is referenced from the input signal crossing at the V
IH
(DC) level for a rising signal and V
IL
(DC) for a falling signal applied to
the device under test.
tIS, tIH Derating Values for gDDR2 550
Units
Notes
CK,CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
Command
/Adress Slew
rate(V/ns)
4.0
+187
+94
+217
+124
+247
+154
ps
1
3.5
+179
+89
+209
+119
+239
+149
ps
1
3.0
+167
+83
+197
+113
+227
+143
ps
1
2.5
+150
+75
+180
+105
+210
+135
ps
1
2.0
+125
+45
+155
+75
+185
+105
ps
1
1.5
+83
+21
+113
+51
+143
+81
ps
1
1.0
0
0
+30
+30
+60
+60
ps
1
0.9
-11
-14
+19
+16
+49
+46
ps
1
0.8
-25
-31
+5
-1
+35
+29
ps
1
0.7
-43
-54
-13
-24
+17
+6
ps
1
0.6
-67
-83
-37
-53
-7
-23
ps
1
0.5
-110
-125
-80
-95
-50
-65
ps
1
0.4
-175
-188
-145
-158
-115
-128
ps
1
0.3
-285
-292
-255
-262
-225
-232
ps
1
0.25
-350
-375
-320
-345
-290
-315
ps
1
0.2
-525
-500
-495
-470
-465
-440
ps
1
0.15
-800
-708
-770
-678
-740
-648
ps
1
tIS and
tIH Derating Values for gDDR2-600, gDDR2-700, gDDR2-800
Units
Notes
CK,CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
Command
/Adress Slew
rate(V/ns)
4.0
+150
+94
+180
+124
+210
+154
ps
1
3.5
+143
+89
+173
+119
+203
+149
ps
1
3.0
+133
+83
+163
+113
+193
+143
ps
1
2.5
+120
+75
+150
+105
+180
+135
ps
1
2.0
+100
+45
+130
+75
+160
+105
ps
1
1.5
+67
+21
+97
+51
+127
+81
ps
1
1.0
0
0
+30
+30
+60
+60
ps
1
0.9
-5
-14
+25
+16
+55
+46
ps
1
0.8
-13
-31
+17
-1
+47
29
ps
1
0.7
-22
-54
+8
-24
+38
+6
ps
1
0.6
-34
-83
-4
-53
+26
-23
ps
1
0.5
-60
-125
-30
-95
0
-65
ps
1
0.4
-100
-188
-70
-158
-40
-128
ps
1
0.3
-168
-292
-138
-262
-108
-232
ps
1
0.25
-200
-375
-170
-345
-140
-315
ps
1
0.2
-325
-500
-295
-470
-265
-440
ps
1
0.15
-517
-708
-487
-678
-457
-648
ps
1
0.1
-1000
-1125
-970
-1095
-940
-1065
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-Nb(M)CcK8 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N56163QF 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
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