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參數(shù)資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC33 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 37/64頁 |
| 文件大小： | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC33 |
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- 37 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQs
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
CAS
CL =3
RL = 3
DQS
=< t
DQSCK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
7
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
Tn-1
T1
Tn
Tn+1
Tn+2
Tn+3
Tn+4
Tn+5
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
DQS
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
WL = RL - 1 = 4
RL =5
Post CAS
WRITE A
t
RTW
(Read to Write turn around time)
NOP
The minimum time from the burst read command to the burst write command is defined by a read-to-write-turn-around-time, which is 4
clocks in case of BL = 4 operation, 6 clocks in case of BL = 8 operation.
Burst Read Operation: RL = 3 (AL = 0 and CL = 3, BL = 8)
Burst Read followed by Burst Write: RL = 5, WL = (RL-1) = 4, BL = 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B-Nb(M)CcK8 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669B | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N51163QZ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
| K4N56163QF | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
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