參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC33
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 4/64頁(yè)
文件大小： 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC33
- 4 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Normal Package (Top View)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
NC
VSS
LDQ6
VSSQ
LDM
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
LDQS
LDQS
LDQ7
LDQ0
VDDQ
LDQ2
VSSQ
LDQ5
VSSDL
VDD
CK
RAS
CK
CAS
CS
A2
A6
A4
A11
A8
NC
NC
NC
A12
A9
A7
A5
A0
VDD
A10
VSS
VDDQ
VSSQ
LDQ1
LDQ3
LDQ4
VDDL
A1
A3
BA1
VREF
VSS
CKE
WE
BA0
1 2 3 7 8 9
VDD
VSS
VDD
NC
VSS
UDQ6
VSSQ
UDM
VDDQ
VDDQ
VSSQ
UDQ1
UDQ3
UDQ4
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
UDQS
UDQS
UDQ7
UDQ0
VDDQ
UDQ2
VSSQ
UDQ5
NC
ODT
M
N
P
R
Note : VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL. lt is recommended that
they are isolated on the device from VDD, VDDQ, VSS, and VSSQ.
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1
2
3
4
+
5
6
+
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
M
N
P
R
+
+
+
+
+
+
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View
(See the balls through the Package)
Ball Locations
4.0 PIN CONFIGURATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N51163QC-ZC36 512Mbit gDDR2 SDRAM
K4R271669B-N(M)CG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-N(M)CK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-Nb(M)CcK8 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N51163QC-ZC36 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N51163QZ 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
K4N56163QF 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
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