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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N51163QC-ZC36 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC36 |
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- 24 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
EMRS (1) Programming
A0
DLL Enable
0
Enable
1
Disable
a. AL 5 option is available only for 256Mb gDDR2.
A5
A4
A3
Additive Latency
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
2
0
1
1
3
1
0
0
4
1
0
1
5
a
1
1
0
Reserved
1
1
1
Reserved
a: When Adjust mode is issued, AL from previously
set value must be applied.
b: After setting to default, OCD mode needs to be
exited by setting A9-A7 to 000. Refer to the follow-
ing 3.2.2.3 section for detailed information.
A9
A8
A7
OCD Calibration Program
0
0
0
OCD Calibration mode exit;
maintain setting
0
0
1
Drive(1)
0
1
0
Drive(0)
1
0
0
Adjust mode
a
1
1
1
OCD Calibration default
b
A1
Output Driver
Impedance Control
Driver
Size
0
Normal
100%
1
Weak
60%
A10
DQS
0
Enable
1
Disable
A6
A2
R
tt
(
NOMINAL
)
0
0
ODT Disabled
0
1
75 ohm
1
0
150 ohm
1
1
50 ohm
BA1
BA0
MRS mode
0
0
MRS
0
1
EMRS(1)
1
0
EMRS(2): Reserved
1
1
EMRS(3): Reserved
a. Outputs disabled - DQs, DQSs, DQSs .
This feature is used in conjunction with
dimm IDD meaurements when IDDQ is
not desired to be included.
A12
Qoff (Optional)
a
0
Output buffer enabled
1
Output buffer disabled
A10
(DQS Enable)
Strobe Function
Matrix
DQS
DQS
0 (Enable)
DQS
DQS
1 (Disable)
DQS
Hi-z
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
0
1
Qoff
0
DQS
OCD Program
Rtt
Additive Latency
Rtt
D.I.C
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