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參數(shù)資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC36 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 55/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC36 |
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- 55 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
CK
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
RDA
RDA
BL=8
PRE
PRE
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
& tRAS min satisfied
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
& tRAS min satisfied
Read with Autoprecharge to power down entry
CK
CK
CK
Start internal precharge
AL + CL
AL + CL
CKE should be kept high until the end of burst operation.
AL + CL
BL=4
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
AL + CL
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
CKE should be kept high until the end of burst operation.
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
RD
BL=4
RD
BL=8
Read operation starts with a read command and
Q
Q
Q
Q
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
Read to power down entry
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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