- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374277 > K4N51163QC-ZC (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512Mbit gDDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N51163QC-ZC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)當(dāng)前第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)
- 24 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
EMRS (1) Programming
A0
DLL Enable
0
Enable
1
Disable
a. AL 5 option is available only for 256Mb gDDR2.
A5
A4
A3
Additive Latency
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
2
0
1
1
3
1
0
0
4
1
0
1
5
a
1
1
0
Reserved
1
1
1
Reserved
a: When Adjust mode is issued, AL from previously
set value must be applied.
b: After setting to default, OCD mode needs to be
exited by setting A9-A7 to 000. Refer to the follow-
ing 3.2.2.3 section for detailed information.
A9
A8
A7
OCD Calibration Program
0
0
0
OCD Calibration mode exit;
maintain setting
0
0
1
Drive(1)
0
1
0
Drive(0)
1
0
0
Adjust mode
a
1
1
1
OCD Calibration default
b
A1
Output Driver
Impedance Control
Driver
Size
0
Normal
100%
1
Weak
60%
A10
DQS
0
Enable
1
Disable
A6
A2
R
tt
(
NOMINAL
)
0
0
ODT Disabled
0
1
75 ohm
1
0
150 ohm
1
1
50 ohm
BA1
BA0
MRS mode
0
0
MRS
0
1
EMRS(1)
1
0
EMRS(2): Reserved
1
1
EMRS(3): Reserved
a. Outputs disabled - DQs, DQSs, DQSs .
This feature is used in conjunction with
dimm IDD meaurements when IDDQ is
not desired to be included.
A12
Qoff (Optional)
a
0
Output buffer enabled
1
Output buffer disabled
A10
(DQS Enable)
Strobe Function
Matrix
DQS
DQS
0 (Enable)
DQS
DQS
1 (Disable)
DQS
Hi-z
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
0
1
Qoff
0
DQS
OCD Program
Rtt
Additive Latency
Rtt
D.I.C
DLL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC25 | ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes |
| K4N51163QC-ZC2A | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。