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參數資料
| 型號： | K4N51163QC-ZC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數： | 31/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 1420K |
| 代理商： | K4N51163QC-ZC |
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- 31 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
ODT timing mode switch at entering power down mode
T-5
T-4
T-3
T-2
T-1
T0
CK
CK
T1
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFD
RTT
tIS
RTT
T2
T3
T4
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby mode
timings to be applied.
Power Down mode tim-
ings to be applied.
tAOFPDmax
tIS
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOND
RTT
tIS
RTT
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby mode
timings to be applied.
Power Down mode tim-
ings to be applied.
tAONPDmax
tANPD
Entering Slow Exit Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
V
IL
(AC)
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
V
IH
(AC)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC25 | ; Filter Type:RFI; Current Rating:180A; Voltage Rating:480V; Series:FN258 RoHS Compliant: Yes |
| K4N51163QC-ZC2A | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4N51163QC-ZC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC33 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QC-ZC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N51163QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory |
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