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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R271669B-N(M)CG6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 256 × 16/18位× 32秒銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | K4R271669B-N(M)CG6 |
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Direct RDRAM
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K4R271669B/K4R441869B
Version 1.11 Oct. 2000
Change History
Version 1.11 ( October 2000) - Preliminary
* Based on the Rambus 1.11ver. 128/144Mbit(32s banks) RDRAM Datasheet.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K4R441869B | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4R271669F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(F-die) |
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