參數(shù)資料
型號: K4R571669D
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 256/288Mbit RDRAM(D-die)
中文描述: 256/288Mbit的RDRAM(深模)
文件頁數(shù): 1/20頁
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代理商: K4R571669D
Direct RDRAM
K4R571669D/K4R881869D
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Version 1.4 July 2002
July 2002
Version 1.4
Direct RDRAM
TM
512K x 16/18bit x 32s banks
256/288Mbit RDRAM
(D-die)
相關PDF資料
PDF描述
K4R881869D 256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R761869A-GCN1 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCT9 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-F 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FbCcN1 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
K4R761869A-F 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FBCCN1 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCT9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCM8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM