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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R761869A-FbCcN1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 576Mbit的RDRAM（一模）100萬x 18位x 32秒銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | K4R761869A-FBCCN1 |
Direct RDRAM
Page 4
Version 1.41 Jan. 2004
K4R761869A
Figure 2: 576Mbit (1M x18 x32s) RDRAM Device Block Diagram
Bank 31
DQA8..DQA0
9
1
8
W
1
W
8
Bank 30
Bank 29
Bank 18
Bank 17
Bank 16
Bank 15
Bank 14
Bank 13
Bank 1
Bank 0
S
1
DQB8..DQB0
9
1:8 Demux
1:8 Demux
Packet Decode
COLC
5
3
ROW2..ROW0
COL4..COL0
CTM CTMN
CFM CFMN
2
SCK,CMD
RCLK
TCLK
Control Registers
DC
COP
S
C
BC
MA
MB
DX
XOP
M
BX
DR
R
ROP
AV
BR
8
8
7
5
5
5
5
5
6
10
5
5
11
Write
Buffer
Match
Match
Mux
Match
DM
DEVID
1024x128x144
Internal DQB Data Path
Column Decode & Mask
PREC
72
9
9
72
9
REFR
Row Decode
Mux
ACT
RD, WR
Power Modes
DRAM Core
Mux
XOP Decode
PREX
9
9
9
9
72
9
9
9
PRER
COLX
COLM
2
SIO0,SIO1
Sense Amp
64x72
Internal DQA Data Path
Packet Decode
ROWR
ROWA
RCLK
RCLK
R
T
R
T
RQ7..RQ5 or
RQ4..RQ0 or
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
64x72
S
1
72
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
64x72
Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R761869A-FCM8 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-FCT9 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-GCM8 | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R761869A-FCM8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-FCT9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-GCM8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-GCN1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| K4R761869A-GCT9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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