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參數(shù)資料
| 型號： | K4R761869A-GCN1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 576Mbit的RDRAM（一模）100萬x 18位x 32秒銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 20/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 313K |
| 代理商： | K4R761869A-GCN1 |
Direct RDRAM
Page 18
Version 1.41 Jan. 2004
K4R761869A
Center-Bonded WBGA Package
(92balls)
Figure 4 shows the form and dimensions of the recom-
mended package for the 92balls center-bonded WBGA
device class.
Figure 4: Center-Bonded WBGA Package
Table 19 lists the numerical values corresponding to dimen-
sions shown in Figure 4.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
1
2
3
4
5
6
7
D
A
e1
d
E
E1
8
e2
Top
Bottom
Bottom
9
10
K
L
M
N
P
R
S
T
U
Bottom
Table 19 : Center-Bonded WBGA Package Dimensions
Symbol
Parameter
Min.
Max
.
Unit
e1
Ball pitch (x-axis)
0.80
0.80
mm
e2
Ball pitch (y-axis)
0.80
0.80
mm
A
Package body length
13.3
13.5
mm
D
Package body width
15.0
15.2
mm
E
Package total thickness
0.90
1.00
mm
E1
Ball height
0.30
0.40
mm
d
Ball diameter
0.40
0.50
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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