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參數(shù)資料
| 型號： | K4R881869 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 288Mbit RDRAM的為512k × 18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁數(shù)： | 9/64頁 |
| 文件大小： | 4084K |
| 代理商： | K4R881869 |
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Page 7
Direct RDRAM
K4R881869M
Rev. 0.9 Jan. 2000
Preliminary
Figure 3: Packet Formats
CTM/CFM
COL4
COL3
COL2
COL1
COL0
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
8
T
9
T
10
T
11
T
0
T
1
T
2
T
3
T
0
T
1
T
2
T
3
S=1
a
MA7 MA5 MA3 MA1
M=1 MA6 MA4 MA2 MA0
MB7 MB4 MB1
MB6 MB3 MB0
MB5 MB2
R2
CTM/CFM
ROW2
DR4T DR2 BR0
BR3 RsvR
R8
R5
ROW1
DR4F DR1 BR1
BR4 RsvR
R7
R4
R1
ROW0
DR3
DR0 BR2 RsvB AV=1
R6
R3
R0
ACT a0
PREX d0
MSK (b1)
PRER c0
WR b1
C4
CTM/CFM
COL4
DC4
S=1
C6
COL3
DC3
C5
C3
COL2
DC2 COP1
RsvB BC2
C2
DC1 COP0
BC4
BC1
C1
DC0 COP2
COP3 BC3
BC0
C0
COL1
COL0
CTM/CFM
ROW2
ROW1
ROW0
CTM/CFM
COL4
COL3
COL2
COL1
COL0
ROP2
DR4T DR2 BR0
BR3
ROP10
ROP8ROP5
DR4F DR1 BR1 4RsvBROP9 ROP7ROP4 ROP1
DR3
DR0 BR2 RsvB AV=0 ROP6ROP3 ROP0
S=1
b
DX4 XOP4 RsvB BX1
M=0 DX3 XOP3 BX4
BX0
DX2 XOP2 BX3
DX1 XOP1 BX2
DX0 XOP0
T
0
T
4
T
8
T
12
T
1
T
5
T
9
T
13
T
2
T
6
T
10
T
14
T
3
T
7
T
11
T
15
ROWA Packet
COLM Packet
COLC Packet
COLX Packet
ROWR Packet
CTM/CFM
DQA8..0
DQB8..0
COL4
..COL0
ROW2
..ROW0
t
PACKET
a
previous COLC, and is aligned
with the present COLC, indicated
by the Start bit (S=1) position.
b
The COLX is aligned
indicated by the Start
bit (S=1) position.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R881869M | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NbCcG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4S280432A | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R881869D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256/288Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R881869D-FCM8 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:16M X 18 DIRECT RAMBUS DRAM, PBGA92 |
| K4R881869EFCT9 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4R881869E-GCM8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM CHIP DIRECT RDRAM 288MBIT 2.5V 92PIN WBGA - Bulk |
| K4R881869E-GCM8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:288MRDRAMDIRECT RDRAMX18WBGA - Tape and Reel |
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